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场效应管IRF540N参数/应用
场效应管IRF540N参数/应用
型号
:
IRF540N
厂家:
IR
类别:场效应管
基本参数:
晶体管极性:N沟道
漏极电流, Id最大值:33A
电压, Vds最大:100V
开态电阻, Rds(on):0.052ohm
电压, Vgs最高:4V
功耗:94W
封装类型:TO-220AB
针脚数:3
功率, Pd:94W
器件标记:
IRF540N
封装类型:TO-220AB
引脚节距:2.54mm
晶体管数:1
晶体管类型:MOSFET
温度@电流测量:25°C
满功率温度:25°C
热阻,结至外壳A:1.1°C/W
电压Vgs @ Rds on测量:10V
电压, Vds典型值:100V
电流, Id连续:27A
电流, Idm脉冲:110A
表面安装器件:通孔安装
针脚格式:1 g
2 d/tab
3 s
针脚配置:a
阈值电压, Vgs th典型值:4V
封装:TO-220
上一条:
bav99/NXP/sot23参数资料
下一条:
X5645P描述/应用
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电话:(0755) 83278427 83614893
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联系:林小姐/洪先生