ESD5V3U1U-02LRH 代替产品

ESD5V3U1U-02LRH 代替产品

ESD5V3U1U 代替产品芯片详细说明:

ESD5V3U1U 描述:
 ESD5V3U1U是利用先进的硅电路工艺生产的单通超低电容瞬态电压抑制芯片,适合于SOD、TSLP和DFN等多种封装外形;
 输入端对地电容典型值为0.50pF;
 低钳位电压;
 快速的响应速度;
 低漏电流(< 1μA);
 适合于高速数据传输线的ESD保护;
IEC61000-4-2(ESD) :±15kV(空气放电);
±10kV(接触放电)

芯片信息:
项   目    描      述
圆 片 尺 寸 5 英寸
有效管芯数 128,000
芯 片 厚 度 155±10 mm  or  100±10 mm
正 面 金 属/ 厚度 Al/ 2.0μm
背 面 金 属/ 厚度 Au/ 1.0μm
管 芯 尺 寸 330μm×260μm
正面压点尺寸 80μm×80μm
划 片 道 宽 度 X:40μm;Y:40μm

极限参数(SOD-523封装后的成品)
参  数  符 号          额 定 值   单位
最大峰值功率(8/20μs) PPP 150 W
最大峰值脉冲电流(8/20μs) IPP 5 A
芯片最高工作温度范围 Topr -55 ~ +125 °C
芯片最高存储温度范围 Tstg -55 ~ +150 °C