智能功率模块结构

智能功率模块结构

智能功率模块概述

  • 随着电子技术的发展,功率半导体技术已经成为现代电力电子技术的核心。以绝缘栅双极型晶体管(IGBT)为代表的功率器件,在众多工业控制领域得到越来越广泛的应用。IGBT作为一种典型的双极性MOS复合型功率器件,集MOSFET与GTR(大功率晶体管)的优点于一身,既具有输入阻抗高,开关速度快,热稳定性好和驱动电路简单的长处,又具有通态电压低,耐压高和承受电流大的优点。

智能功率模块结构形式

  • IPM是由高速低功耗的IGBT芯片和优先的门级驱动及保护电路构成,如图1所示。根据内部功率电路配置的不同,IPM分为H型、D型、C型和R型4种。图中,H型内部封装1个IGBT,D型内部封装2个IGBT,C型内部封装6个IGBT,R型内部封装7个IGBT。

     

智能功率模块的内部机制

IPM内部设有栅极驱动控制电路、故障检测电路和各种保护电路,采用带有电流相比,由于增加了保护电路,因而智能功率模块在系统性能及可靠性方面都有很大的提高。

智能功率模块的保护功能包括控制电压欠压保护、过热保护、过流保护和短路保护。如果智能功率模块模块中的一种保护电路产生动作,其内部的IGBT栅极驱动单元就会关断门极电流并输出一个故障信号(Fo)。

(1)控制电压欠压保护(UV):智能功率模块使用单一的15V供电,若供电电压低于12.5 V,且时间超过toff=10 ms,发生欠压保护,封锁门极驱动电路,输出故障信号Fo。如图3所示。

 

 

(2)过热保护(0T):在靠近IGBT芯片的绝缘基板上安装了一个温度传感器,当智能功率模块温度传感器测出其基板的温度超过温度值时,发生过热保护,封锁门极驱动电路,输出故障信号Fo。

(3)过流保护(0C):若流过IGBT的电流值超过过流动作电流,且时间超过toff,则发生过流保护,封锁门极驱动电路,输出故障信号Fo。为避免发生过大的电流变化率di/dt,大多数的智能功率模块采用两级关断模式。如图4所示。

(4)短路保护(SC):若负载发生短路或控制系统故障导致短路,流过IGBT的电流值超过短路动作电流,则立刻发生短路保护,封锁门极驱动电路,输出故障信号。跟过流保护一样,为避免发生过大的电流变化率di/dt,大多数智能功率模块采用两级关断模式。为缩短过流保护的电流检测和故障动作问的响应时间,智能功率模块内部使用实时电流控制电路(RTC),使响应时间小于100ns,从而有效抑制了电流和功率峰值,提高了保护效果。

当智能功率模块发生UV、OC、OT、SC中任一种故障时,智能功率模块将立即输出故障信号Fo,该故障信号持续时间tFo为1.8 ms(SC持续时间会长一些),此时间内智能功率模块会封锁门极驱动,关断智能功率模块。当故障输出信号持续时间结束后,智能功率模块内部会自动复位,门极驱动通道重新开放。

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