IKW20N60T K20T60（600V 20A)低饱和压降型IGBT

IKW20N60T K20T60（600V 20A)低饱和压降型IGBT

型号	厂家	批号	数量	封装	包装	备注	PDF	WORD
IKW20N60T	INFINEON	09+	5900	TO-247	K20T60
IKW20T120	INFINEON	09+	5900	TO-247
IKW25N120T2	INFINEON	09+	5900	TO-247
IKW25T120	INFINEON	09+	5900	TO-247

描述：

K20T60属英飞凌600V低饱和压降型IGBT 3单管，现有TO-220(IKP20N60T)和TO-247(IKW20N60T)两种封装,硬开关频率Fk<=50Khz,最大工作结温Tjmax<=175度,IGBT内置反并联二极管为英飞凌专利技术超软、超快恢复(Emcon)高效二极管，拖尾电流小且随温度增加不明显增加.

IKW20N60T|K20T60|图片

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信息来自洪得盛电子 http://wwwic.net/news/10/483.html

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